一、功率半导体：电能转换核心器件
功率半导体器件是实现电能转换的核心器件，广泛应用于消费电子、新能源交通、轨道交通、发电与配电等电力电子领域。
根据载流子类型，功率半导体可以分为双极型功率半导体和单极型功率半导体。
双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管（BJT）、电力晶体管（GTR）、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
单极型功率半导体包括功率MOSFET、肖特基势垒功率二极管等。
从市场格局来看，目前国外功率半导体厂商制造水平较高，已经形成了较高的专业壁垒。
欧美日厂商凭借其技术和品牌优势，占据了全球功率半导体器件市场的70%。其中，英飞凌器以18.6%的市场占有率排名世界第一（2017年英飞凌财报数据）。
我国开展功率半导体的研究工作比较晚，目前大陆、台湾地区主要集中在二极管、低压MOSFET等低端功率器件市场，IGBT、中高压MOSFET等高端器件市场主要由欧美日厂商占据。
不过，国际功率半导体厂商尚未形成专利和标准的垄断。相比国外厂商，国内厂商在服务客户需求、降低成本等方面具有竞争优势。
功率半导体是电动汽车的重要部件，比如特斯拉Model S车型使用的三相异步电机驱动，其中每一相的驱动控制都需要使用28颗IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，三相共需要使用84颗IGBT芯片。
因此，新能源汽车产业的崛起为功率半导体带来了极大的增长潜力。电机控制系统和充电桩是车用IGBT的主要增长点。
IGBT在电力驱动系统中属于逆变器模块，将动力电池的直流电逆变成交流电提供给驱动电动机。
IGBT约占新能源汽车电机驱动系统及车载充电系统成本的40%，折合到整车上约占总成本的7~10%，其性能直接决定了整车的能源利用率。
1、IGBT：硅基功率半导体核心
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
IGBT可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用。
在结构方面，IGBT比MOSFET（金氧半场效晶体管）多一层P+区，通过P层空穴的注入能够降低器件的导通电阻。
随着电压的增大，MOSFET的导通电阻也变大，因而其传导损耗比较大，尤其是在高压应用场合中。相较而言，IGBT的导通电阻较小。
IGBT多应用于高压领域，MOSFET主要应用在高频领域。IGBT集中应用在逆变器、变频器等高压产品；而MOSFET主要应用在镇流器、高频感应加热等高频产品。
2、IGBT市场格局
按电压分布来看，消费电子领域运用的IGBT产品主要在600V以下，如数码相机闪光灯等。1200V以上的IGBT多用于电力设备、汽车电子、高铁及动车中。动车组常用的IGBT模块为3300V和6500V。智能电网使用的IGBT通常为3300V。
全球IGBT市场主要竞争者包括德国英飞凌、日本三菱、富士电机、美国安森美、瑞士ABB等，前五大企业的市场份额超过70%。
目前国外厂商已研发出完善的IGBT产品系列：其中，仙童等企业在消费级IGBT领域处于优势地位。
ABB、英飞凌和三菱电机在1700V以上的工业级IGBT领域占据优势。
在3300V以上电压等级的领域，英飞凌、ABB和三菱电机三家公司居垄断地位，代表着国际IGBT技术的最高水平。
中国功率半导体市场占世界功率半导体市场份额的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT器件中，90%依赖于进口。
三、第三代化合物半导体——前景广阔，产业变革
1、碳化硅SiC：高压器件领域的破局者
而在功率半导体材料方面，SiC（碳化硅）是第三代半导体材料的代表。相较于Si（硅），SiC能降低更多能量损耗、更易实现小型化、更耐高温。
SiC主要应用在光伏逆变器（PV）、储能/电池充电、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、工业驱动器及医疗等市场，它可以用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。
2017年全球SiC功率半导体市场总额达3.99亿美元。预计到2023年市场总额将达16.44亿美元，年复合增长率26.6%。从应用来看，混合动力和纯电动汽车的增长率最高，达81.4%。
目前，英飞凌和科锐占据了全球SiC市场的70%。
罗姆公司在本田的Clarity上搭载了SiC功率器件，Clarity是世界首次用Full SiC驱动的燃料电动车，由于具有高温下动作和低损耗等特点，可以缩小用于冷却的散热片，扩大内部空间。丰田的燃料车MIRAI可以坐4个人，本田的Clarity实现了5人座。
在国家政策方面，目前我国正在大力推动第三代半导体产业弯道超车。2018年7，月国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布，提出了中国第三代半导体电力电子技术的发展路径及产业建设。
2、氮化镓GaN：手机快充占最大份额，5G射频迎来发展机遇
除了SiC之外，GaN（氮化镓）也是是第三代半导体材料的代表。
GaN器件可以分为射频器件和电力电子器件，其中电力电子器件产品包括SBD、FET等面向无线充电、电源开关等市场；射频器件则包括PA、MIMO等面向基站卫星、雷达市场。
目前，手机快速充电占据功率GaN市场的最大份额。但随着5G应用的临近，GaN射频器件市场也正在处于快速发展阶段。
GaN应用于充电器时可以有效缩小产品的尺寸。目前市面上的GaN充电器支持USB快充，以27W、30W和45W功率居多。Apple也考虑将GaN技术作为其无线充电解决方案，这有可能带来GaN功率器件市场的杀手级应用。
要想满足5G对于更高数据传输速率和低延迟的要求，需要GaN技术来实现更高的目标频率。利用GaN的小尺寸和功率密度高的特点可以实现高度集成化的产品解决方案，如模块化射频前端器件，满足5G关键技术MassiveMIMO的需求。
目前，英飞凌、安森美和意法半导体是全球GaN市场的行业巨头。
根据Maximize Market研究数据，预计到2026年全球GaN功率器件市场规模将达到4.4亿美元，复合年增长率29.4%。
近年来越来越多的公司加入GaN的产业链。如初创公司EPC、GaN System、Transphorm等。它们大多选择台积电或X-FAB为代工伙伴。行业巨头如英飞凌、安森美和意法半导体等则采用IDM模式。
而在细分领域方面：2017年全球功率分立IGBT市场总额达11亿美元。其中，英飞凌以38.5%的市场份额排名第一，第二为富士电机。2017年全球功率分立MOSFET市场总额达66.5亿美元。其中，英飞凌以26.3%的市场份额排名第一。第二为安森美。
2017年全球功率器件市场中恩智浦的营业收入排名第一。营业收入60.48亿元，净利润14.47亿元，净利率0.24。英飞凌排名第二，营业收入55.26亿元，净利润6.19亿元，净利率0.11。
各功率器件厂商都有其独特的优势产品。安森美是第一大汽车图像传感器企业。在全球ADAS市场中，安森美的图像传感器占据了70%的市场份额。微控制器和SoC是瑞萨电子的主要产品。瑞萨电子在全球微控制器市场中占据领先地位。
汽车电子由于其市场广阔、体量巨大，一直都是半导体厂商们的兵家必争之地。而随着当前新能源汽车产业浪潮在全球领域的兴盛与崛起，功率半导体——这一电动汽车关键零部件——则更是迎来了一次前所未有的时代新机遇。
